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1、 定義 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可經(jīng) SD 卡轉(zhuǎn)換器后，當 SD 卡使用。 TF 卡產(chǎn)品8 G4 y1 P) k. ]. i5 L3 c6 e( R1 \
采用 SD 架構設計而成， SD 協(xié)會于2004年年底正式將其更名為 Micro SD ， 已成為 SD 產(chǎn)品中的一員 。
: O3 t% G9 ?+ S+ M& Z0 \& ]SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一種基于半導體快閃記憶器的新一
' m" s2 V2 ]# `. y9 v7 @0 u) g代記憶設備。 0 r6 U1 T2 d- S" N4 e
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CLK:時鐘信號。
9 g! {6 a8 [8 R/ aCMD:雙向命令和響應信號。8 ?$ S% ?& \1 m: @/ a: L
DAT0-3:雙向數(shù)據(jù)信號。
5 N1 i6 i' ?$ b5 hVDD、 VSS:電源和地信號。
: f4 c o, w+ W m# R5 J. eCD：卡檢測。
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2、阻抗控制要求
# U, X1 n! V8 C單端阻抗控制在50歐姆。
0 j8 A- U; z Y5 _0 n/ \) |3、 走線要求( e1 {- D0 X5 Q* A% K4 j
所有的信號線盡量走在同一層,參考GND平面，盡量避免夸分割的情況出現(xiàn)，. S* E8 u2 _/ V/ I
特別是時鐘線。數(shù)據(jù)線控制線參照時鐘線盡量等長，誤差可以放寬點。做到+/-300mil即可。時鐘線在空間足夠的情況下，采取包地處理。如果做不到，盡量拉開時鐘線與其他信號線之間的距離。 大于 3W。在打孔換層的地方增加回流地過孔，縮短回流路徑。電源和地走線加寬，請注意載流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盤之間的間距，不能太近，預防連錫。（ 1.5mm 適宜）
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