實(shí)用經(jīng)驗(yàn)--手機(jī)LAYOUT經(jīng)驗(yàn)

Kivy

某機(jī)型的layout方案
以射頻器件面為layer1層  射頻  基帶
layer1：  器件  器件
2 t2 g4 F; ^$ @/ E8 |layer2：  signal 大部分地址和數(shù)據(jù)signal、部分模擬線（對(duì)應(yīng)3層是地）
' f3 |. }! ?' v5 S4 ~layer3：  GND 部分走線（包括鍵盤面以及2層走不下的線）、GND
Layer4：  帶狀線  需穿過射頻的基帶模擬控制線(txramp_rf、afc_rf)、音頻線、
' ]& j9 s( x0 v$ g1 T7 V 基帶主芯片之間的模擬接口線、主時(shí)鐘線
Layer5：  GND GND
8 R* y7 X: z; }, tLayer6：  電源層VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、
VCORE(80ｍA) 、VABB(50ｍA)、VSIM(20ｍA) 、VVCXO（１０ｍA）
Layer7：  signal 鍵盤面的走線
Layer8：  器件  器件
5 Z2 L  p9 ]0 j/ c1 h$ s
二．具體布線要求
  z' H& y  M  v* R# P1．總原則：
布線順序：射頻帶狀線及控制線（天線處）――基帶射頻模擬接口線（txramp_rf、afc_rf）――
$ i; R, _) Z; v! P: F基帶模擬線包括音頻線與時(shí)鐘線――模擬基帶和數(shù)字基帶接口線――電源線――數(shù)字線。

2. 射頻帶狀線及控制線布線要求
RFOG、RFOD網(wǎng)絡(luò)為第四層的帶狀線，線寬為3mil，其上下兩層均用地包住，帶狀線寬度
! l# ?1 r" W: z: b根據(jù)實(shí)際板材厚度、以及走線長來確定；由于帶狀線均需打2～7的孔，注意底層在這些孔
附近用地包住，并且其他層走線不要離這些孔太近；
7 x6 ~* c- ]& e$ c' E# V
RX_GSM、RX_DCS、RX_PCS網(wǎng)絡(luò)為頂層射頻接收信號(hào)線，線寬走8mil；RFIGN、RFIGP、
RFIDN、RFIDP、RFIPN、RFIPP網(wǎng)絡(luò)為頂層和第二層射頻接收信號(hào)線，定層線寬走8mil，
第二層線寬走4mil；
8 u: [& P. m6 g* V9 W8 tGSM_OUT、DCS_OUT、TX_GSM、TX_DCS/PCS網(wǎng)絡(luò)為頂層功放輸出發(fā)射信號(hào)線，線寬
走12mil為宜；
  L6 F! Y  h7 _2 q4 H1 a
( d# ~0 ^* N, ~( J天線開關(guān)輸出到測試座、天線觸點(diǎn)的頂層信號(hào)線ANT_1、ANT_2、ANT_3、ANT，線寬為
) _: D9 g2 Y" |# K% U* s" ?12mil為宜。
$ s8 o8 @0 `# b, ^; L1 C9 h4 Y
3. 與射頻接口模擬線  （走四層）
TXRAMP_RF、AFC_RF網(wǎng)絡(luò)的走線盡量加粗且兩邊用地線圍住，線寬走6mil；
QN_RF、QP_RF；IN_RF、IP_RF為兩對(duì)差分信號(hào)線，請(qǐng)線長盡可能相等，且盡可能間距相
等，在第四層的走線寬為6mil。

  s0 ~: ]- ~* Y4 c7 p& v" U4. 重要的時(shí)鐘線（走四層）
/ ?% ]* K4 O7 D13MHz的晶體U108以及石英晶體G300部分為噪聲敏感電路，其下面請(qǐng)盡量減少信號(hào)走線。
( Z6 b, C$ N. ~5 I石英晶體G300的兩個(gè)端子OSC32K_IN、OSC32K_OUT步線時(shí)注意要平行走線，離D300
越近越好。請(qǐng)注意32K時(shí)鐘的輸入和輸出線一定不能交叉。
& d: m  O% \" g+ q2 G4 ~0 \SIN13M_RF、CLK13M_IN、CLK13M_T1、CLK13M_T2、CLK13M_IN_X、CLK13M_OUT
) y. i: Y! S) e: e% n8 q0 p網(wǎng)絡(luò)的走線請(qǐng)盡量短，兩邊用地線圍住，走線的相鄰兩層要求都是地。
7 {% ]$ Q  `: W! f8 Y  W時(shí)鐘建議走8mil
5．下列基帶模擬線（走四層）
7 ]; I9 |& P4 l. Y以下是8對(duì)差分信號(hào)線：
RECEIVER_P、RECEIVER_N；  SPEAKER_P、SPEAKER_N；  HS_EARR、  HS_EARL ；
) S" W2 g! m. \HS_EARR_T1、  HS_EARL_T1 ；HS_MICP、HS_MICN；MICP、MICN；USB_DP、USB_DN；
: q" m% I7 r& zUSB_DP_T1、USB_DN_T1；USB_DP_X、USB_DN_X；   
( B6 }- b# U4 I" j+ q' ~為避免相位誤差，線長盡可能相等，且盡可能間距相等。
BATID是AD采樣模擬線，請(qǐng)走6mil；
TSCXP、TSCXM、TSCYP、TSCYM四根模擬線也按照差分信號(hào)線走，請(qǐng)走6mil。

6．  AGND與GND分布(?)
8 A8 @7 s0 H' m' L! S) a4 rAGND和GND網(wǎng)絡(luò)在原理圖中沒有連在一起，布板完成之后用銅箔連起來，具體位置如下：
$ a+ D2 K2 R$ X. |. sD301芯片底部布成模擬地AGND。模擬地AGND和數(shù)字地GND在D301的AGND(PIN G5)
5 S# m0 H8 n# Z' L' a( u  u" n/ @附近連接。
, ~7 [$ P5 T' N' @) f3 W9 [D400芯片底部布成MIDI模擬地MIDIGND，MIDI模擬地MIDIGND和數(shù)字地GND在D400
, Q7 R- [8 S+ l4 M* u6 ?的16管腳附近連接。
% R2 L: w8 t% I* qAGND最好在50mil以上。
- ]0 ~0 ?: |2 Y: N* l3 ~
7. 數(shù)字基帶與模擬基帶之間的重要接口線：
VSDI、VSDO、VSFS、BSIFS、BSDI、BSDO、BSOFS、ASDI、ASFS、ASDO為高速數(shù)據(jù)
! d: i/ X7 W1 u. Q+ W7 R/ I( Z. h8 f線，線盡可能短、寬(6mil以上)、且線周圍敷銅；
BUZZER、ASM、ABB_INT、\RESET、\ABB_RESET為重要的信號(hào)線，請(qǐng)走至少6mil的
線，短且線周圍敷銅；
5 O) F! I/ x4 q' [! n" H) E. Y1 v
7 `* C+ G7 K( B2 I% I. y' c8．?dāng)?shù)字基帶和外圍器件之間重要接口線
" P  `4 `, O$ u2 O\LCD_RESET、  SIM_RST、\CAMERA_RESET、\MIDI_RST、NFLIP_DET、\MIDI_IRQ、
\IRQ_CAMERA_IO、IRQ_CAMERA_IO_X、\PENIRQ為復(fù)位信號(hào)和中斷信號(hào)，請(qǐng)走至少6mil
的線。
POWE_ON/OFF走至少6mil的線。
4 D; s' z! G7 B  m6 `9 \* a
6 [0 @' V9 c/ x$ A0 n6 v& ^  ?9．電源：   
8 w; i0 I, [" r(1)負(fù)載電流較大的電源信號(hào)（走六層）：下列電源信號(hào)負(fù)載電流依次減小，最好將其在電源
  @  t6 q* x1 b. x$ ]7 X6 P層分割：  CHARGE_IN、VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、
VCORE(80ｍA) 、VABB(50ｍA)、VSIM(20ｍA) 、VVCXO（１０ｍA），需要走線時(shí)VBAT、
+ l7 ]; l  k; _$ L2 nCHARGE_IN最好40以上。
3 ^; s8 ]# o8 \  v0 b/ }(2)負(fù)載電流較小的電源信號(hào)：VRTC、VMIC電流較小，可布在信號(hào)層。
* @; ?/ G; _. e- X: x4 f" k% _(3)充電電路：與XJ600相連的VBAT 、CHARGE_IN，與VT301相連的ISENSE 電源輸線，
, l: J! x. f5 z2 U電流較大，線請(qǐng)布寬一點(diǎn)，建議16mil。
(4)鍵盤背光：  KB_BACKLIGHT、KEYBL_T1有50mA電流，  R802~R809、VD801~VD808
2 m9 a/ Z; J0 N! r流過的電流是5mA，走線時(shí)要注意。
- D& Q3 N; X2 H0 V6 d（5）馬達(dá)驅(qū)動(dòng)：VIBRATOR、VIBRATOR_x網(wǎng)絡(luò)流過電流是100mA。
（6）LCD背光驅(qū)動(dòng)：LCD_BL_CTRL、LCD_BL_CTRL_X網(wǎng)絡(luò)流過電流是60mA.
（7）七色燈背光驅(qū)動(dòng)：LPG_GREEN、LPG_RED、LPG_BLUE、LPG_RED_FPC、
LPG_GREEN_FPC、LPG_BLUE_FPC、LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、
LPG_BLUE_FPC_x網(wǎng)絡(luò)流過電流是5mA，建議走6mil；LPG_OUT流過電流是20mA，建
議走8 mil以上，并遠(yuǎn)離模擬信號(hào)走線和過孔。

10.關(guān)于EMI走線
（1）Z701,Z702,Z703的輸出網(wǎng)絡(luò)在到達(dá)XJ700之前請(qǐng)走在內(nèi)層，盡量走在2層，然后在
& M, V) n+ h" B3 dXJ700管腳附近打via2~1的孔，打到TOP層。
: k& h& r2 `, Z7 @) C# L3 @/ s(2) 從RC濾波走出來的網(wǎng)絡(luò)LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、LPG_BLUE_FPC_x、
9 P2 ~6 u- y0 }) _5 x* ^% gVIBRATOR_x、NCS_MAIN_LCD_x、NCS_SUB_LCD_x、ADD01_x在到達(dá)XJ700之前請(qǐng)走
% w1 }8 X. A0 A在內(nèi)層，走在3層或者6層或7層，然后在XJ500管腳附近打孔，打到TOP層。
! {6 ]: ?7 p* x/ o9 |: K  }; R（3）鍵盤矩陣的網(wǎng)絡(luò)不能在第八層走線，盡量走在第七層，第七層走不下可以走到第三層。
) u, s; i- \4 r（4）鍵盤面底部和頂部耳機(jī)部分的走線盡量在第八層少走線。希望鍵盤面到時(shí)可以大面積
) W& }. Y2 y/ H鋪地。
" v8 I7 K% i+ O' }5 I2 n（5）SIM卡XJ601下面（在表層）盡量大面積鋪地，少走信號(hào)線。

11.元器件外圍屏蔽條為0.7mm，屏蔽條之間間隔0.3mm，焊盤距離屏蔽條0.4mm，該位置
  E; x  b$ u% F" M0 X* W已留出。
  G. T6 U. D$ }8 W! E( w% a
12.基帶共有2個(gè)BGA器件，由于BGA導(dǎo)電膠只能從一個(gè)方向滴膠，所以以射頻面為正面，
! H/ n: X, M* h, ?% ^0 ?統(tǒng)一在BGA的左側(cè)留出了0.7mm的滴膠位置。

13．20H原則。電源平面比地平面縮進(jìn)20H。
! |/ ~3 x. p- C( I) r( V
$ n! B0 o* g2 r& `6 X! h14．過孔尺寸：1~2,7~8層過孔是0.3mm/0.1mm, 其余過孔是0.55mm/0.25mm。
" [8 X' }' _$ r4 u+ \
15．頂層PCB邊緣要有1.5-2mm的寬的接地條，并打孔。

16．在敷完銅后，用過孔將各個(gè)層的地連接起來。
* ]: ]" A6 R; ?+ J/ X
17. 注意相鄰層盡量避免平行走線，特別是對(duì)第四層的線而言，第三層走線要特別小心。
0 g% \( k! Z) t



) o/ i7 V" |0 Y8 X
% D, T6 T! g9 j
! e3 I& }: ?! a

byalxj

搶樓了，前排第一次啊

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8層板，差不多都是這樣處理，還是不錯(cuò)的，大家學(xué)習(xí)下。頂一個(gè)

uigeps

好幾年的帖了，不過對(duì)當(dāng)初入手機(jī)布板對(duì)我還是用處很大哦，挺一個(gè)！

jinxing521