實(shí)用經(jīng)驗(yàn)--手機(jī)LAYOUT經(jīng)驗(yàn)

Kivy

某機(jī)型的layout方案
+ f4 `8 |+ I; d: H以射頻器件面為layer1層  射頻  基帶
layer1：  器件  器件
: g/ d7 K9 {5 \# c1 vlayer2：  signal 大部分地址和數(shù)據(jù)signal、部分模擬線（對(duì)應(yīng)3層是地）
' I3 Q6 e% g! r6 Ylayer3：  GND 部分走線（包括鍵盤(pán)面以及2層走不下的線）、GND
Layer4：  帶狀線  需穿過(guò)射頻的基帶模擬控制線(txramp_rf、afc_rf)、音頻線、
基帶主芯片之間的模擬接口線、主時(shí)鐘線
Layer5：  GND GND
Layer6：  電源層VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、
, J1 M7 o$ ?1 ?8 ^$ qVCORE(80ｍA) 、VABB(50ｍA)、VSIM(20ｍA) 、VVCXO（１０ｍA）
Layer7：  signal 鍵盤(pán)面的走線
Layer8：  器件  器件

+ X9 ~! l/ }" P8 Y+ _9 ?二．具體布線要求
0 e6 K2 W6 n  I8 w3 F1．總原則：
$ E" L& r! B& A# G  w" a' s0 i布線順序：射頻帶狀線及控制線（天線處）――基帶射頻模擬接口線（txramp_rf、afc_rf）――
基帶模擬線包括音頻線與時(shí)鐘線――模擬基帶和數(shù)字基帶接口線――電源線――數(shù)字線。
8 \# B0 g6 r  J5 I: E+ v9 d  R4 K
2. 射頻帶狀線及控制線布線要求
. k: o& }8 a7 ~RFOG、RFOD網(wǎng)絡(luò)為第四層的帶狀線，線寬為3mil，其上下兩層均用地包住，帶狀線寬度
根據(jù)實(shí)際板材厚度、以及走線長(zhǎng)來(lái)確定；由于帶狀線均需打2～7的孔，注意底層在這些孔
( c2 \- f  q% [$ J1 B附近用地包住，并且其他層走線不要離這些孔太近；

- W+ g' p3 S! X: v/ ]7 U8 {9 p( hRX_GSM、RX_DCS、RX_PCS網(wǎng)絡(luò)為頂層射頻接收信號(hào)線，線寬走8mil；RFIGN、RFIGP、
1 N) R* A: [4 J; uRFIDN、RFIDP、RFIPN、RFIPP網(wǎng)絡(luò)為頂層和第二層射頻接收信號(hào)線，定層線寬走8mil，
0 [( M+ p: R: L/ R' |$ C第二層線寬走4mil；
GSM_OUT、DCS_OUT、TX_GSM、TX_DCS/PCS網(wǎng)絡(luò)為頂層功放輸出發(fā)射信號(hào)線，線寬
* D6 w" M7 I# u" }5 u6 Z8 K走12mil為宜；

: h# h! q2 P  n8 {$ x* s天線開(kāi)關(guān)輸出到測(cè)試座、天線觸點(diǎn)的頂層信號(hào)線ANT_1、ANT_2、ANT_3、ANT，線寬為
12mil為宜。
' G/ x% s7 m" _/ U% x, ]$ i
1 P5 d7 `- g& f3. 與射頻接口模擬線  （走四層）
( _  S* A; T* ?% l; @TXRAMP_RF、AFC_RF網(wǎng)絡(luò)的走線盡量加粗且兩邊用地線圍住，線寬走6mil；
QN_RF、QP_RF；IN_RF、IP_RF為兩對(duì)差分信號(hào)線，請(qǐng)線長(zhǎng)盡可能相等，且盡可能間距相
等，在第四層的走線寬為6mil。

  \% b" a$ I, f4. 重要的時(shí)鐘線（走四層）
: m5 _+ P9 s7 W* C; K: R- X13MHz的晶體U108以及石英晶體G300部分為噪聲敏感電路，其下面請(qǐng)盡量減少信號(hào)走線。
2 O- |" ~# n. R' O4 G石英晶體G300的兩個(gè)端子OSC32K_IN、OSC32K_OUT步線時(shí)注意要平行走線，離D300
越近越好。請(qǐng)注意32K時(shí)鐘的輸入和輸出線一定不能交叉。
SIN13M_RF、CLK13M_IN、CLK13M_T1、CLK13M_T2、CLK13M_IN_X、CLK13M_OUT
) Q) L8 d# J) p+ V. z  Q網(wǎng)絡(luò)的走線請(qǐng)盡量短，兩邊用地線圍住，走線的相鄰兩層要求都是地。
% c) i' y: G) i; b  M7 m時(shí)鐘建議走8mil
4 F1 {2 f3 ]0 F/ u7 Y( S# L5．下列基帶模擬線（走四層）
; H8 u- G2 C, f+ o以下是8對(duì)差分信號(hào)線：
6 W' @1 |9 K3 e4 p1 X8 I% r$ J. m8 MRECEIVER_P、RECEIVER_N；  SPEAKER_P、SPEAKER_N；  HS_EARR、  HS_EARL ；
6 E+ o- Z! K* ~8 i0 B" NHS_EARR_T1、  HS_EARL_T1 ；HS_MICP、HS_MICN；MICP、MICN；USB_DP、USB_DN；
( w3 N- X' V" v; ?; Z, H" m. LUSB_DP_T1、USB_DN_T1；USB_DP_X、USB_DN_X；   
為避免相位誤差，線長(zhǎng)盡可能相等，且盡可能間距相等。
, k% x' m2 J5 R% cBATID是AD采樣模擬線，請(qǐng)走6mil；
  L$ O3 r8 y! J7 w: K% z7 XTSCXP、TSCXM、TSCYP、TSCYM四根模擬線也按照差分信號(hào)線走，請(qǐng)走6mil。
4 |. T" `8 U' m' z
& @- e$ I( M; e  u6．  AGND與GND分布(?)
AGND和GND網(wǎng)絡(luò)在原理圖中沒(méi)有連在一起，布板完成之后用銅箔連起來(lái)，具體位置如下：
D301芯片底部布成模擬地AGND。模擬地AGND和數(shù)字地GND在D301的AGND(PIN G5)
( g; a- {- c6 D3 U2 Z% s7 z6 ~附近連接。
* t. N; A8 @! v) oD400芯片底部布成MIDI模擬地MIDIGND，MIDI模擬地MIDIGND和數(shù)字地GND在D400
的16管腳附近連接。
1 K* F- b; ~7 g8 P: BAGND最好在50mil以上。

6 @: x' j: A5 K1 K0 o+ {7. 數(shù)字基帶與模擬基帶之間的重要接口線：
% W7 d$ v: |, z8 F- Z$ b' }1 O1 [VSDI、VSDO、VSFS、BSIFS、BSDI、BSDO、BSOFS、ASDI、ASFS、ASDO為高速數(shù)據(jù)
% d# ?( x" c( w; g線，線盡可能短、寬(6mil以上)、且線周?chē)�敷銅；
1 L/ _8 Z5 n, A/ i6 LBUZZER、ASM、ABB_INT、\RESET、\ABB_RESET為重要的信號(hào)線，請(qǐng)走至少6mil的
# _* N6 e$ H6 v線，短且線周?chē)�敷銅；

; P8 v( ?- w. O& |( n8．?dāng)?shù)字基帶和外圍器件之間重要接口線
\LCD_RESET、  SIM_RST、\CAMERA_RESET、\MIDI_RST、NFLIP_DET、\MIDI_IRQ、
\IRQ_CAMERA_IO、IRQ_CAMERA_IO_X、\PENIRQ為復(fù)位信號(hào)和中斷信號(hào)，請(qǐng)走至少6mil
0 @. ~7 X9 ^% T" H5 _, b的線。
8 ?$ S( W. @0 c% ?$ E$ h+ ^POWE_ON/OFF走至少6mil的線。

2 }9 L4 z9 k  k9．電源：   
(1)負(fù)載電流較大的電源信號(hào)（走六層）：下列電源信號(hào)負(fù)載電流依次減小，最好將其在電源
% w7 l8 {7 v% ^* J: A1 Y1 g  ^: Z層分割：  CHARGE_IN、VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、
VCORE(80ｍA) 、VABB(50ｍA)、VSIM(20ｍA) 、VVCXO（１０ｍA），需要走線時(shí)VBAT、
0 n& Z9 J, Y: V& z0 ?  MCHARGE_IN最好40以上。
(2)負(fù)載電流較小的電源信號(hào)：VRTC、VMIC電流較小，可布在信號(hào)層。
* }9 X. I# \7 v(3)充電電路：與XJ600相連的VBAT 、CHARGE_IN，與VT301相連的ISENSE 電源輸線，
8 K3 Q% N7 o* ?  O9 x4 O$ a  }電流較大，線請(qǐng)布寬一點(diǎn)，建議16mil。
(4)鍵盤(pán)背光：  KB_BACKLIGHT、KEYBL_T1有50mA電流，  R802~R809、VD801~VD808
6 c" ~6 c9 p- G! ^流過(guò)的電流是5mA，走線時(shí)要注意。
（5）馬達(dá)驅(qū)動(dòng)：VIBRATOR、VIBRATOR_x網(wǎng)絡(luò)流過(guò)電流是100mA。
（6）LCD背光驅(qū)動(dòng)：LCD_BL_CTRL、LCD_BL_CTRL_X網(wǎng)絡(luò)流過(guò)電流是60mA.
5 N, j& G4 A7 ~/ c( X7 ]3 x（7）七色燈背光驅(qū)動(dòng)：LPG_GREEN、LPG_RED、LPG_BLUE、LPG_RED_FPC、
LPG_GREEN_FPC、LPG_BLUE_FPC、LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、
LPG_BLUE_FPC_x網(wǎng)絡(luò)流過(guò)電流是5mA，建議走6mil；LPG_OUT流過(guò)電流是20mA，建
  ^# T# J6 \4 {) l. o議走8 mil以上，并遠(yuǎn)離模擬信號(hào)走線和過(guò)孔。
8 A9 ?2 l; e. f6 ^4 r0 E; T- j
10.關(guān)于EMI走線
（1）Z701,Z702,Z703的輸出網(wǎng)絡(luò)在到達(dá)XJ700之前請(qǐng)走在內(nèi)層，盡量走在2層，然后在
XJ700管腳附近打via2~1的孔，打到TOP層。
(2) 從RC濾波走出來(lái)的網(wǎng)絡(luò)LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、LPG_BLUE_FPC_x、
VIBRATOR_x、NCS_MAIN_LCD_x、NCS_SUB_LCD_x、ADD01_x在到達(dá)XJ700之前請(qǐng)走
7 t$ m5 Y& ]3 I+ G7 V6 y/ [$ ^在內(nèi)層，走在3層或者6層或7層，然后在XJ500管腳附近打孔，打到TOP層。
/ O. A! _# X) w( E. @# C- h: ]（3）鍵盤(pán)矩陣的網(wǎng)絡(luò)不能在第八層走線，盡量走在第七層，第七層走不下可以走到第三層。
（4）鍵盤(pán)面底部和頂部耳機(jī)部分的走線盡量在第八層少走線。希望鍵盤(pán)面到時(shí)可以大面積
鋪地。
  B4 `% q6 ?! T' m1 M0 U- j6 q- W& K（5）SIM卡XJ601下面（在表層）盡量大面積鋪地，少走信號(hào)線。

1 ]' L; S% Z9 q  P8 w% ^11.元器件外圍屏蔽條為0.7mm，屏蔽條之間間隔0.3mm，焊盤(pán)距離屏蔽條0.4mm，該位置
0 Y$ l  o8 `5 e! s9 D  @* b已留出。

0 C2 \# ]3 f7 G) W, B! a12.基帶共有2個(gè)BGA器件，由于BGA導(dǎo)電膠只能從一個(gè)方向滴膠，所以以射頻面為正面，
統(tǒng)一在BGA的左側(cè)留出了0.7mm的滴膠位置。
3 x2 c% h( R( N  h9 [
13．20H原則。電源平面比地平面縮進(jìn)20H。
5 R  V1 m# ]5 Z( J" e
' o! l2 l3 m' Y: A; b14．過(guò)孔尺寸：1~2,7~8層過(guò)孔是0.3mm/0.1mm, 其余過(guò)孔是0.55mm/0.25mm。
4 N% `3 u' U7 [  r
15．頂層PCB邊緣要有1.5-2mm的寬的接地條，并打孔。
" ^% ^) k2 A4 Q1 [; m  R
( q" S: t! r: ~2 x16．在敷完銅后，用過(guò)孔將各個(gè)層的地連接起來(lái)。

5 Y( R* o5 _* k4 M3 Z! b( |2 |# x17. 注意相鄰層盡量避免平行走線，特別是對(duì)第四層的線而言，第三層走線要特別小心。
; L+ L% g7 A# J' ~1 {
& s( x  x1 Z$ ~  d
6 j; |* a: F: E& p* U
; a5 u# J, W& B3 {
/ B8 c! A, V8 T# b, H' a" T

" M! t: D$ J- g2 A& z5 l

byalxj

搶樓了，前排第一次啊

201_云

不錯(cuò)不錯(cuò)，樓主您辛苦了。。。

高壓貼片電容-樂(lè)

路過(guò)還不錯(cuò)

Forever______創(chuàng)

我表示壓力很大

yunan0808

一直在尋找的資料,非常有用

逍遙游

我是來(lái)刷分的，嘿嘿

15921419852

8層板，差不多都是這樣處理，還是不錯(cuò)的，大家學(xué)習(xí)下。頂一個(gè)

uigeps

好幾年的帖了，不過(guò)對(duì)當(dāng)初入手機(jī)布板對(duì)我還是用處很大哦，挺一個(gè)！

jinxing521