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發(fā)表于 2013-8-7 10:24:28 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |正序?yàn)g覽 |閱讀模式
某機(jī)型的layout方案 . {6 _9 C+ c/ s2 @' X+ |% }
以射頻器件面為layer1層  射頻  基帶 " B. Y4 i! Y0 }# i) }
layer1:  器件  器件
5 ?# H; d" b. y$ z. ?- j' }layer2:  signal 大部分地址和數(shù)據(jù)signal、部分模擬線(對(duì)應(yīng)3層是地)
( l# t: v% [8 U8 E% n9 s* ulayer3:  GND 部分走線(包括鍵盤面以及2層走不下的線)、GND
7 g1 @( f; h. B. {" g+ i7 FLayer4:  帶狀線  需穿過(guò)射頻的基帶模擬控制線(txramp_rf、afc_rf)、音頻線、
; g% ]# y0 ?+ B, x( t  u! e( b8 R3 T 基帶主芯片之間的模擬接口線、主時(shí)鐘線 ! W* C6 V& V; w& ~1 n* E
Layer5:  GND GND
7 K7 o! n1 T6 Q+ C8 M/ DLayer6:  電源層VBAT、LDO_2V8_RF(150mA)、VMEM(150mA)、VEXT(150mA)、
6 T. E0 w3 J: v+ X( bVCORE(80mA) 、VABB(50mA)、VSIM(20mA) 、VVCXO(10mA)
, Q0 Q; z6 y' f* f9 o' PLayer7:  signal 鍵盤面的走線
( o7 ?$ w5 q& V. r8 {Layer8:  器件  器件$ p- l" w# C* P$ p. e

/ q% q& I) z* T: f5 d$ a二.具體布線要求
6 V3 o3 b; c1 T5 _0 [, H3 g1.總原則: ! G( m1 Z& K# `6 w1 l& J
布線順序:射頻帶狀線及控制線(天線處)――基帶射頻模擬接口線(txramp_rf、afc_rf)――
! G+ R: _4 K: w( X% j基帶模擬線包括音頻線與時(shí)鐘線――模擬基帶和數(shù)字基帶接口線――電源線――數(shù)字線。 ) C% y8 f9 Q1 X* y
  t/ O: E. E; v  b, l8 @; J
2. 射頻帶狀線及控制線布線要求 . s7 T2 h7 o( ]  R" ^: S+ r
RFOG、RFOD網(wǎng)絡(luò)為第四層的帶狀線,線寬為3mil,其上下兩層均用地包住,帶狀線寬度/ y) h+ y# F. g! E9 e
根據(jù)實(shí)際板材厚度、以及走線長(zhǎng)來(lái)確定;由于帶狀線均需打2~7的孔,注意底層在這些孔
* W' E- g+ r8 R3 D' B3 J0 r附近用地包住,并且其他層走線不要離這些孔太近; " g; g0 r& g2 @$ u: u2 p. V2 |1 G
0 X* m1 d4 s) n+ U, H' ]
RX_GSM、RX_DCS、RX_PCS網(wǎng)絡(luò)為頂層射頻接收信號(hào)線,線寬走8mil;RFIGN、RFIGP、* \4 p0 L% @' o& C
RFIDN、RFIDP、RFIPN、RFIPP網(wǎng)絡(luò)為頂層和第二層射頻接收信號(hào)線,定層線寬走8mil,
4 j- z! w  g+ d; l1 ?第二層線寬走4mil;
; [6 L+ m( A5 W0 P# KGSM_OUT、DCS_OUT、TX_GSM、TX_DCS/PCS網(wǎng)絡(luò)為頂層功放輸出發(fā)射信號(hào)線,線寬
  Q+ T1 ?5 [1 y4 ?% |走12mil為宜;
) P4 U8 g3 q) s  }, ?' Z& J
( G. h% [; ^' V0 R& G: w: {天線開關(guān)輸出到測(cè)試座、天線觸點(diǎn)的頂層信號(hào)線ANT_1、ANT_2、ANT_3、ANT,線寬為
0 t8 d4 ?7 K0 K/ |12mil為宜。
& @; u8 g. M- I* @" ]
/ a/ G9 S# o+ X& _$ y- B3. 與射頻接口模擬線  (走四層) : K3 c2 C  d0 _' d  V0 h% b
TXRAMP_RF、AFC_RF網(wǎng)絡(luò)的走線盡量加粗且兩邊用地線圍住,線寬走6mil;
7 o- U  }: P& s+ e; y0 y7 dQN_RF、QP_RF;IN_RF、IP_RF為兩對(duì)差分信號(hào)線,請(qǐng)線長(zhǎng)盡可能相等,且盡可能間距相* N3 J) s+ Z5 c2 r* ^3 \
等,在第四層的走線寬為6mil。
- [# q7 x, x* n1 k% ?* ~, ~+ S 0 _7 X  A$ W4 D( `0 H5 i0 V
4. 重要的時(shí)鐘線(走四層) # _, B: p+ h9 z) h
13MHz的晶體U108以及石英晶體G300部分為噪聲敏感電路,其下面請(qǐng)盡量減少信號(hào)走線。 2 A' l* i# C) o3 ]1 Y( M  y, [
石英晶體G300的兩個(gè)端子OSC32K_IN、OSC32K_OUT步線時(shí)注意要平行走線,離D300( ]% j! T: |' t' [: c2 b& S
越近越好。請(qǐng)注意32K時(shí)鐘的輸入和輸出線一定不能交叉。
) [5 q/ v3 r$ R( R: Y( J( l8 |' ZSIN13M_RF、CLK13M_IN、CLK13M_T1、CLK13M_T2、CLK13M_IN_X、CLK13M_OUT) E" K  h) t+ S% t4 U6 [
網(wǎng)絡(luò)的走線請(qǐng)盡量短,兩邊用地線圍住,走線的相鄰兩層要求都是地。 2 W; @2 `) o) I+ F+ |! F. c
時(shí)鐘建議走8mil
  p- j- r+ D/ c6 O6 f) T9 [- F* k5.下列基帶模擬線(走四層)
) M$ \! g  p& k. b以下是8對(duì)差分信號(hào)線: 7 V8 p! r+ r+ j  v/ m: _) K
RECEIVER_P、RECEIVER_N;  SPEAKER_P、SPEAKER_N;  HS_EARR、  HS_EARL ;
0 v. P/ w- m" y) S5 f( XHS_EARR_T1、  HS_EARL_T1 ;HS_MICP、HS_MICN;MICP、MICN;USB_DP、USB_DN;
: \, `. r5 [, S) _USB_DP_T1、USB_DN_T1;USB_DP_X、USB_DN_X;   4 o: U3 a3 r- h! t4 e" G9 t
為避免相位誤差,線長(zhǎng)盡可能相等,且盡可能間距相等。 & [3 Z  F" d6 S% E) P
BATID是AD采樣模擬線,請(qǐng)走6mil;
- \" B9 C7 `1 V9 M  Z+ oTSCXP、TSCXM、TSCYP、TSCYM四根模擬線也按照差分信號(hào)線走,請(qǐng)走6mil。
1 \! t% E# Y. g* O$ I
; {# B9 G9 ~/ O/ l' m/ y" J7 U6.  AGND與GND分布(?) ) [) O# A5 O# w! h. v
AGND和GND網(wǎng)絡(luò)在原理圖中沒(méi)有連在一起,布板完成之后用銅箔連起來(lái),具體位置如下: . A9 {7 v' a+ V: `  v
D301芯片底部布成模擬地AGND。模擬地AGND和數(shù)字地GND在D301的AGND(PIN G5)" m3 J- ]* m  Z* a
附近連接。
, [9 A) Q8 r; G5 s! }8 n# MD400芯片底部布成MIDI模擬地MIDIGND,MIDI模擬地MIDIGND和數(shù)字地GND在D400; i/ `" h5 m. a6 s% n9 X# F/ Q
的16管腳附近連接。
; n* V2 ~1 v7 w8 i# l- B. C$ uAGND最好在50mil以上。
, F# u: X) d* ?5 a ' k3 I% m9 r. n% }& y. {
7. 數(shù)字基帶與模擬基帶之間的重要接口線: ; b3 m5 K9 h9 ]
VSDI、VSDO、VSFS、BSIFS、BSDI、BSDO、BSOFS、ASDI、ASFS、ASDO為高速數(shù)據(jù)
& h2 t8 U$ }# b, Y8 @線,線盡可能短、寬(6mil以上)、且線周圍敷銅; % y" C9 y+ ^# |/ W+ b- q8 T% D5 k
BUZZER、ASM、ABB_INT、\RESET、\ABB_RESET為重要的信號(hào)線,請(qǐng)走至少6mil的0 l$ U3 r. y: B3 C; E
線,短且線周圍敷銅; 2 ~' o' s5 u0 h- @1 {7 g6 c

$ q3 d" J) y# O( u/ l8 [. P4 d8.?dāng)?shù)字基帶和外圍器件之間重要接口線 # [9 g" z% B; n9 t4 Q% [$ Y  p1 h; E
\LCD_RESET、  SIM_RST、\CAMERA_RESET、\MIDI_RST、NFLIP_DET、\MIDI_IRQ、7 H1 o- b* T+ j
\IRQ_CAMERA_IO、IRQ_CAMERA_IO_X、\PENIRQ為復(fù)位信號(hào)和中斷信號(hào),請(qǐng)走至少6mil* j: E4 P. I" g3 n. y0 G
的線。
8 I* @) b; l6 d. p. I  m: s( {POWE_ON/OFF走至少6mil的線。
; M0 s' ^1 Z1 R/ v* ^
% k4 x+ S+ i) v% R& ^* d5 h9.電源:   
4 r4 a) w7 y$ `4 H5 M1 s" B( V(1)負(fù)載電流較大的電源信號(hào)(走六層):下列電源信號(hào)負(fù)載電流依次減小,最好將其在電源! l/ o5 ~5 {, x  k8 O" i
層分割:  CHARGE_IN、VBAT、LDO_2V8_RF(150mA)、VMEM(150mA)、VEXT(150mA)、' r- G3 K$ @# n$ x
VCORE(80mA) 、VABB(50mA)、VSIM(20mA) 、VVCXO(10mA),需要走線時(shí)VBAT、
6 P$ r6 J# N9 |. `3 U3 _CHARGE_IN最好40以上。
) t- J! c. S: I" F& q1 [(2)負(fù)載電流較小的電源信號(hào):VRTC、VMIC電流較小,可布在信號(hào)層。
9 m4 C" q; R# W8 N- r$ ^* \' ~$ F(3)充電電路:與XJ600相連的VBAT 、CHARGE_IN,與VT301相連的ISENSE 電源輸線,
5 s+ k5 o! H$ ^3 h5 b9 A# A電流較大,線請(qǐng)布寬一點(diǎn),建議16mil。
4 }( }0 s2 D1 E9 y(4)鍵盤背光:  KB_BACKLIGHT、KEYBL_T1有50mA電流,  R802~R809、VD801~VD808: g' ?9 T, P4 @5 b" \) ]3 f
流過(guò)的電流是5mA,走線時(shí)要注意。
3 e9 Z( P& _2 v, ~(5)馬達(dá)驅(qū)動(dòng):VIBRATOR、VIBRATOR_x網(wǎng)絡(luò)流過(guò)電流是100mA。 8 B/ `8 z  R% t5 N9 t9 ^: g& A
(6)LCD背光驅(qū)動(dòng):LCD_BL_CTRL、LCD_BL_CTRL_X網(wǎng)絡(luò)流過(guò)電流是60mA. & i* M( v8 P- w" h1 A4 f
(7)七色燈背光驅(qū)動(dòng):LPG_GREEN、LPG_RED、LPG_BLUE、LPG_RED_FPC、
- _; @4 @5 c# {. ULPG_GREEN_FPC、LPG_BLUE_FPC、LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、
* k, [6 |$ f6 TLPG_BLUE_FPC_x網(wǎng)絡(luò)流過(guò)電流是5mA,建議走6mil;LPG_OUT流過(guò)電流是20mA,建
. Y' o2 x0 Q0 l- [議走8 mil以上,并遠(yuǎn)離模擬信號(hào)走線和過(guò)孔。 ) g* s- {0 t) `: f* A' A$ M6 x

) i" n/ J4 L: G* l" l10.關(guān)于EMI走線 ' l, w, |$ |# m; R# R4 J
(1)Z701,Z702,Z703的輸出網(wǎng)絡(luò)在到達(dá)XJ700之前請(qǐng)走在內(nèi)層,盡量走在2層,然后在& J  G& k$ l- W( I3 ^( P% b* u
XJ700管腳附近打via2~1的孔,打到TOP層。
7 e6 R4 P& K# t! w4 _! a) J(2) 從RC濾波走出來(lái)的網(wǎng)絡(luò)LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、LPG_BLUE_FPC_x、
) [, s: h9 |3 [8 D( }# F+ tVIBRATOR_x、NCS_MAIN_LCD_x、NCS_SUB_LCD_x、ADD01_x在到達(dá)XJ700之前請(qǐng)走, ?- S: C% Q5 ?- ?( t( l
在內(nèi)層,走在3層或者6層或7層,然后在XJ500管腳附近打孔,打到TOP層。
! q9 Y3 O! {) ?( j7 h& E4 v  l' O* I(3)鍵盤矩陣的網(wǎng)絡(luò)不能在第八層走線,盡量走在第七層,第七層走不下可以走到第三層。
5 d8 A& y7 `' n$ C$ [* N' Z3 [* h(4)鍵盤面底部和頂部耳機(jī)部分的走線盡量在第八層少走線。希望鍵盤面到時(shí)可以大面積3 H% c. r) s( L% r6 @
鋪地。
4 J3 a9 A6 d3 L% P(5)SIM卡XJ601下面(在表層)盡量大面積鋪地,少走信號(hào)線。
. a; ]8 V/ a+ _4 Q
2 {5 _" {8 v. u11.元器件外圍屏蔽條為0.7mm,屏蔽條之間間隔0.3mm,焊盤距離屏蔽條0.4mm,該位置% g1 i0 @2 c9 v  q/ K
已留出。 # Z+ U* k% Z$ Q

( D+ p+ e. ^8 S. r" B12.基帶共有2個(gè)BGA器件,由于BGA導(dǎo)電膠只能從一個(gè)方向滴膠,所以以射頻面為正面,. E1 `9 O" {* F1 e6 v, o" M
統(tǒng)一在BGA的左側(cè)留出了0.7mm的滴膠位置。
0 x5 d  D7 q- z# ^  Z$ \: n
, \$ f0 T" j& {4 O/ N4 ^13.20H原則。電源平面比地平面縮進(jìn)20H。 , a3 q6 l* [* y! v5 X9 |6 w3 l

* ^7 E4 c/ D& s. N3 h  m4 r2 Y14.過(guò)孔尺寸:1~2,7~8層過(guò)孔是0.3mm/0.1mm, 其余過(guò)孔是0.55mm/0.25mm。
. }5 H, o6 ?1 `6 Q5 C! f
! P2 f" K# g5 h  W" T, X5 C15.頂層PCB邊緣要有1.5-2mm的寬的接地條,并打孔。
+ B( O3 L- E5 k+ Q : j& o4 x6 Q/ E/ F) @. X# {9 N* D
16.在敷完銅后,用過(guò)孔將各個(gè)層的地連接起來(lái)。
' _' [; a" t7 l6 n+ H7 z0 z1 U
  N5 |( M, u" X1 n4 U: ~& k2 J# O17. 注意相鄰層盡量避免平行走線,特別是對(duì)第四層的線而言,第三層走線要特別小心。
% l) C& c# K  s, p% g  j: u' V& t' c

, D0 k0 b1 Z0 Y0 M8 b, {. n+ [. |: X+ |
! S* E% f0 K) `3 g  {9 A" C
7 _3 h  ?+ m3 L& O  s2 p

/ a  C+ U, d$ c. S# o! P
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發(fā)表于 2018-12-9 06:17:39 | 只看該作者
回復(fù)一下,獲取下載   嘿嘿

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發(fā)表于 2018-12-6 22:18:09 | 只看該作者
干貨值得分享,很好,下載下來(lái)學(xué)習(xí)下

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發(fā)表于 2018-12-6 06:18:34 | 只看該作者
下載大神的的原創(chuàng)~~666

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發(fā)表于 2018-12-5 09:14:49 | 只看該作者
{author},默默的我下載了 感謝  

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發(fā)表于 2018-12-5 07:18:58 | 只看該作者
資料很好,值得借鑒

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發(fā)表于 2018-10-2 14:11:08 | 只看該作者
資料很豐富,正好需要,多向大家學(xué)習(xí)下

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發(fā)表于 2018-9-6 18:47:19 | 只看該作者
下載了,.....

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發(fā)表于 2018-9-6 18:40:16 | 只看該作者
山無(wú)棱天地合才敢與君絕 哈哈

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發(fā)表于 2018-3-26 10:26:13 | 只看該作者
謝謝分享,好資料,學(xué)習(xí)了

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發(fā)表于 2018-3-22 16:40:06 | 只看該作者
謝謝分享

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