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[作業(yè)已審核] 王明亮-DDR2片作業(yè)

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發(fā)表于 2024-10-31 17:26:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
信號分類
1 地址類,時鐘差分等;
2 數(shù)據(jù)類D,數(shù)據(jù)掩碼DM,數(shù)據(jù)鎖存DQS。
3 電源類
布局方案
1  一片時點對點,留出繞線空間
2  兩片相對CPU所接信號管腳中心對稱布局(T點)(留出繞地址線,與串組空間)
3  濾波電容與VREF退耦電容靠近芯片管腳擺放,DDR之間距離600-800,右阻容800-1000mil
4  數(shù)據(jù)線串組容放控制器與DDR中間;并組容靠近串組容(可頂?shù)踪N)
5  DM數(shù)據(jù)掩碼為點到點單向,串組靠近控制器端放,并組靠DDR端;
6  地址,控制,時鐘為單向(采用點到多點拓撲結(jié)構(gòu)),串組靠近控制端,并組放在第一個T點長度不超500mil;菊花鏈串組靠近控制端,并組放在最后一片DDR后面長度不超500mil;
布線要求
1  單端50 差分100
2  數(shù)據(jù)每組走同層(10根,8根數(shù)據(jù)D,1根鎖存DQS,1根數(shù)據(jù)掩碼DM);兩片時11根(8根數(shù)據(jù),DQM,DQS差分)
3  信號間距滿足3W;數(shù)據(jù),地址(控制),時鐘之間間距20mil/最小3W;空間允許加地線(15-30mil);
4  VREF電源先電容后管腳,走線不小于20mil,與同層信號間距最少20mil;
5  所有信號線不要夸分割,如果換層,更改參考層注意增加回流地過孔或退偶電容;所有DDR信號參考層平面至少大30-40mil。任何非DDR部分不得以DDR電源為參考;
6  兩片DDR布線拓撲結(jié)構(gòu)優(yōu)選中間部分(T點),T點過孔打在兩片DDR中間;支持讀寫平衡的才可以使用菊花鏈;
等長規(guī)則
1  數(shù)據(jù)線以DQS為基準等長;地址、控制、時鐘、以時鐘為基準;
2  數(shù)據(jù)最長不超2500mil,組內(nèi)誤差±25mil;DQS與時鐘長度控制±250mil;
3  地址組內(nèi)誤差±100mil;
4  DQS、時鐘差分對內(nèi)±5mil;設計阻抗時對內(nèi)間距不超2倍線寬;

2片DDR3作業(yè).rar

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