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3.5D封裝:2.5D和完全3D集成之間找到的平衡點

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發(fā)表于 2024-9-26 08:02:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
引言
3 i8 {5 G7 h. A; B! k& \0 U! [/ o7 d半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,不斷推動芯片設(shè)計和制造的邊界。隨著逐漸接近傳統(tǒng)平面縮放的極限,先進封裝技術(shù)正成為持續(xù)提升性能的關(guān)鍵推動力。在這些技術(shù)中,3.5D封裝作為當前2.5D解決方案和完全3D集成之間的折中方案,正在獲得廣泛關(guān)注。本文將探討3.5D封裝的概念、優(yōu)勢、挑戰(zhàn)以及對半導(dǎo)體設(shè)計未來的潛在影響[1]。
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5 `6 c6 }, ^9 Q9 l& Q% }. [什么是3.5D封裝?! O3 _8 ~( D0 [# g/ n4 I# H
3.5D封裝是一種結(jié)合了2.5D和3D集成技術(shù)元素的混合方法。在3.5D配置中,邏輯chiplet垂直堆疊,然后與其他組件一起鍵合到共享基板上。這種方法在廣泛采用的2.5D技術(shù)和更復(fù)雜的完全3D-IC之間提供了一個中間地帶,而業(yè)界已經(jīng)努力將后者商業(yè)化近十年。  p- ^5 `: b* K, n* X, P; |& i. p
* M+ U& w5 l2 W7 M) G) a4 b7 Y7 B
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圖1:三星的異構(gòu)集成路線圖,展示了封裝技術(shù)的演變。(來源:三星代工廠)
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4 p# l: |3 O7 s5 U7 R& b" V# y  V& [3.5D封裝的主要優(yōu)勢
  • 熱管理:通過在組件之間創(chuàng)建物理分隔,3.5D封裝有效解決了困擾更密集3D配置的熱耗散和噪聲問題。
  • 增加SRAM集成:由于SRAM縮放落后于數(shù)字晶體管縮放,3.5D允許通過垂直堆疊chiplet將更多SRAM添加到高速設(shè)計中。這對于維持處理器緩存性能非常重要。
  • 改善信號傳輸:減薄處理元件和內(nèi)存之間的接口縮短了信號需要傳輸?shù)木嚯x,與平面實現(xiàn)相比顯著提高了處理速度。
  • 靈活性和可擴展性:3.5D組件提供了更大的靈活性來添加額外的處理器核心,并通過允許已知良好的裸片單獨制造和測試來實現(xiàn)更高的良率。
  • 異構(gòu)集成:這種方法使用不同制程節(jié)點制造的芯片可以組合在一起,優(yōu)化性能和成本。! s& c5 {' D, u2 Z
    [/ol]8 H; V" x5 D2 Z) [' H7 s- Z

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    0 c% C% F% W" z! A( N4 H: y圖2:英特爾的3.5D封裝模型,展示了使用硅橋進行芯片間互連的方式。(來源:英特爾)
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      T8 E5 R4 s( Y5 o實施策略
    , p1 p' K4 a" T1 _! S" U最常見的3.5D配置涉及將處理器堆疊在SRAM上。這種安排簡化了冷卻,因為高利用率處理元件產(chǎn)生的熱量可以通過散熱器或液體冷卻來移除。減薄的基板允許信號傳輸更短的距離,減少了處理器和內(nèi)存之間數(shù)據(jù)移動的功耗。& T! h3 P' K) \

    * C# U& t, h# F: F有趣的是,SRAM不一定需要與先進處理器處于相同的制程節(jié)點。這種靈活性有助于提高良率和可靠性。例如,三星提出了一個路線圖,顯示在不久的將來,2nm chiplet堆疊在4nm chiplet上,并計劃到2027年實現(xiàn)1.4nm chiplet堆疊在2nm chiplet上。
    3 L% T( k7 ^1 k+ U/ J1 f: a' i; b5 O% H% k6 u3 o$ \! f4 |# Y
    英特爾的3.5D技術(shù)方法涉及在帶有硅橋的基板上實現(xiàn)。這種方法以成本效益高的方式使用薄硅片來實現(xiàn)芯片間互連,包括堆疊芯片間互連。這種方法提供了硅密度和信號完整性性能的優(yōu)勢,而無需使用大型、昂貴的單片互連層。0 R" J! R- l1 E' l. e8 s
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    圖3:當前互連層技術(shù)支持高I/O數(shù)量和精細間距。(來源:日月光集團)" c  _3 _6 |. v: W
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    挑戰(zhàn)和持續(xù)發(fā)展/ c' [/ a- v; a
    3.5D封裝提供了眾多優(yōu)勢,但也面臨著挑戰(zhàn)。一些關(guān)鍵的持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域包括:
  • 熱管理:盡管相比完全3D設(shè)計有所改善,但在3.5D組件中管理熱量仍然是一個重大挑戰(zhàn)。業(yè)界正在探索各種冷卻解決方案,包括浸沒式冷卻、局部液體冷卻和蒸汽室。
  • 互連技術(shù):隨著我們推動更高的密度,業(yè)界正在向更精細的凸點間距解決方案和混合鍵合技術(shù)發(fā)展。目標是實現(xiàn)25到20微米的凸點間距,混合鍵合可能實現(xiàn)小于10微米的間距。
  • 共面性:在數(shù)千個微凸點上實現(xiàn)所需的平整度水平對傳統(tǒng)鍵合方法是一個重大挑戰(zhàn)。這正推動人們對混合鍵合等替代方法產(chǎn)生興趣。
  • 時序收斂:隨著在3.5D配置中添加更多元素,確保信號在正確的時間到達正確的位置變得越來越復(fù)雜。這需要復(fù)雜的熱感知和IR感知時序分析。
  • 數(shù)據(jù)管理:設(shè)計和分析這些復(fù)雜系統(tǒng)所涉及的數(shù)據(jù)量正在爆炸性增長。有效處理這些數(shù)據(jù)并減少模擬和分析運行時間是一個主要關(guān)注領(lǐng)域。
  • 組裝復(fù)雜性:物理組裝這些器件涉及管理具有不同厚度和熱膨脹系數(shù)的各種裸片的熱、電和機械連接。這需要進行密集的熱機械認證工作。3 ?- ^9 B& P( Q2 p4 F
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    圖4:先進封裝路線圖,說明互連技術(shù)的演變。(來源:安靠科技)0 s0 L$ D! \% {6 G
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    商業(yè)化的道路
    / N4 \( f; G. E6 \6 T' M/ a& n/ z3.5D封裝的最終目標是實現(xiàn)芯片設(shè)計的"即插即用"方法,設(shè)計者可以從菜單中選擇chiplet,并迅速將連接到經(jīng)過驗證的架構(gòu)中。雖然這一愿景可能需要數(shù)年時間才能完全實現(xiàn),但可能在未來幾年內(nèi)看到商用chiplet出現(xiàn)在先進設(shè)計中,從高帶寬內(nèi)存與定制處理器堆疊開始。/ j- y; X3 p+ Q% s
    5 T. p; H. f5 {6 J
    實現(xiàn)這一愿景需要在幾個關(guān)鍵領(lǐng)域取得進展:
  • EDA工具:電子設(shè)計自動化(EDA)工具需要發(fā)展以處理3.5D設(shè)計的復(fù)雜性。這包括同時考慮熱、信號完整性和功率完整性問題,以及改善IC設(shè)計師和封裝專家之間的協(xié)作。
  • 工藝/組裝設(shè)計套件:3.5D工藝和組裝的標準化設(shè)計套件非常重要。這些可能會在代工廠和外包半導(dǎo)體組裝和測試(OSAT)提供商之間分配。
  • 標準化:為可以預(yù)先構(gòu)建和預(yù)先測試的內(nèi)容設(shè)置現(xiàn)實的參數(shù)將是提高組裝速度和便利性的關(guān)鍵。像UCIe(通用chiplet互連快車)這樣的行業(yè)標準就是朝這個方向邁出的步伐。
  • 工藝一致性:確保3.5D組裝各個步驟的工藝一致性非常重要。這需要為每個工藝步驟定義可接受的輸出,并開發(fā)實時優(yōu)化配方的方法,以保持結(jié)果在所需范圍內(nèi)。* X8 \6 Y  X  H7 @# q
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    結(jié)論2 o3 g/ \/ c, ^7 K# Y& q
    3.5D封裝代表了半導(dǎo)體集成的重要進步,在3D-IC的性能優(yōu)勢和當前2.5D解決方案的實用性之間提供了平衡。隨著業(yè)界趨向于這種方法,可以期待在設(shè)計工具、制造工藝和標準化努力方面的快速發(fā)展。
    # W* s/ R  K: }) J6 s
    # `2 L; H+ U3 H3 Q( |. |. x/ C% E在熱管理和互連技術(shù)等領(lǐng)域仍然存在挑戰(zhàn),但3.5D封裝的潛在優(yōu)勢正在推動大量投資和創(chuàng)新。隨著這些技術(shù)的成熟,有望在從高性能計算到人工智能等廣泛應(yīng)用中實現(xiàn)新的性能和功能水平。0 j# r# C. u( A
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    實現(xiàn)完全的3.5D封裝及其他更高集成的旅程將需要整個半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的持續(xù)合作。從EDA供應(yīng)商到代工廠、OSAT和系統(tǒng)集成商,每個參與者在將這項技術(shù)推向市場方面都發(fā)揮著重要作用。隨著我們向前發(fā)展,3.5D封裝可能成為連接當前技術(shù)與未來完全3D-IC的橋梁,開啟半導(dǎo)體創(chuàng)新的新時代。
    % _- x) b: n, N1 @5 n6 V, b
    9 y  v7 m* Q7 }參考文獻
    ) T3 N# z+ t0 ^6 J! I' y+ X3 u, W[1] E. Sperling, "3.5D: The Great Compromise," Semiconductor Engineering, Aug. 21, 2024.7 |& N: X4 D9 l. i5 ^$ d

    9 r7 X% l, }( ^1 K- END -) o' C, q: ?- s. J: W5 e

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