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Marvell | 異構(gòu)集成的技術(shù)路線圖

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發(fā)表于 2024-9-25 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
引言
; v; _# U* ~4 \. u5 c. N& Y半導(dǎo)體行業(yè)長期依賴技術(shù)路線圖來指導(dǎo)其發(fā)展并促進(jìn)合作。這一傳統(tǒng)始于1993年的美國國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(NTRS),后來演變?yōu)閲H半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)。如今,隨著進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)的新時(shí)代,異構(gòu)集成路線圖(HIR)成為焦點(diǎn),應(yīng)對(duì)將多樣化組件集成到統(tǒng)一系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)和機(jī)遇[1]。/ Z7 u4 `* _9 |+ Y0 }4 R# \

5 P/ c7 c4 P0 B0 g$ M9 a  Y" k2 x( q$ _6 T* Z) h8 q

. P" F( E7 F% R3 _% h: |! C技術(shù)路線圖的演變
: X! L! L" I9 Z' S3 ^% x半導(dǎo)體技術(shù)路線圖的旅程始于戈登·摩爾博士在德克薩斯州歐文組織的一次富有遠(yuǎn)見的研討會(huì)。這次活動(dòng)匯集了179位技術(shù)專家,共同創(chuàng)造了行業(yè)未來的愿景。1993年發(fā)布的NTRS成為第一個(gè)開源半導(dǎo)體技術(shù)路線圖。
0 v( }! K9 _8 j5 D4 G$ @
2 N1 F- @, x7 I% d1 [% i, J圖1:展示AMD的3.5D 封裝。
. Y2 P  y* G5 q* Q, N# C3 z) z
隨著行業(yè)全球化,NTRS擴(kuò)展為包括國際合作的ITRS,始于1998年。這項(xiàng)全球努力持續(xù)到2016年,ITRS的最后一版發(fā)布。認(rèn)識(shí)到持續(xù)合作的重要性,ITRS的異構(gòu)集成團(tuán)隊(duì)決定繼續(xù)推進(jìn)路線圖工作,聚焦于摩爾定律進(jìn)展的下一個(gè)時(shí)代和電子技術(shù)復(fù)興。7 x5 O, F* e3 l2 h
' O  w- e, }" I1 Y0 m0 `! `/ k
理解異構(gòu)集成
! K4 W7 D- a' M3 m/ {9 n# i異構(gòu)集成指將不同組件組裝成更高級(jí)系統(tǒng)。這種方法包括多個(gè)方面:
  • 材料:集成具有不同特性的材料。
  • 組件類型:結(jié)合集成電路、光電子技術(shù)、微機(jī)電系統(tǒng)和傳感器。
  • 線路類型:整合DRAM、Serdes、邏輯、射頻和電源線路。
  • 硅節(jié)點(diǎn):集成來自不同工藝技術(shù)的組件。
  • 鍵合和互連方法:利用各種技術(shù)連接組件。' j0 b- ?: i. j! ?9 s% I
    [/ol]' {8 M/ w5 }5 }2 c4 Z* H  I

    ; u% [" Z8 {4 {) \
    $ y$ y# |% E+ b3 t* S* k圖2:展示了復(fù)雜的異構(gòu)集成例子,顯示多個(gè)Chiplet堆疊在有源中間層上。
    2 {' I: P: E7 o% w& `( y, m" T" }
    : @+ P+ b/ {  s1 d% x5 Y3 vHIR涵蓋廣泛主題,組織成幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域:
  • 集成過程
  • 異構(gòu)集成組件
  • 系統(tǒng)和市場(chǎng)應(yīng)用
  • 跨領(lǐng)域主題
    - Y2 R) ~1 \) S! `& f. D" ~[/ol]
    0 ?" F3 m0 P# J9 R/ f) u這些領(lǐng)域進(jìn)一步分為23個(gè)章節(jié),涵蓋從單芯片集成到新興研究材料和安全考慮的各個(gè)方面。
    6 D+ @: o) e- i( R) K8 n 9 p' |  p7 o1 v5 ^: F3 l/ w2 d/ w
    圖3:顯示異構(gòu)集成路線圖的結(jié)構(gòu),展示其各個(gè)章節(jié)和重點(diǎn)領(lǐng)域。/ O4 x( a0 j6 W4 Y' A/ Q

    - _$ H( |  I7 i7 N0 r( C異構(gòu)集成的挑戰(zhàn)和機(jī)遇  @; D1 q$ ?. M8 t( q9 F5 p
    隨著行業(yè)向更復(fù)雜的集成系統(tǒng)發(fā)展,新的挑戰(zhàn)出現(xiàn)。最關(guān)鍵的領(lǐng)域之一是可靠性。異構(gòu)集成引入了新的多尺度芯片封裝相互作用和多物理失效模式,需要解決。
    8 H) |, N* i5 n' n
    + I1 A3 B+ O- ?9 p1 K( o- A + b  i& ~( b- M4 ^& h( o
    圖4:顯示異構(gòu)集成系統(tǒng)的可靠性浴盆曲線,說明多個(gè)競爭性失效模式。+ [9 g& b# l" G& o, a) R% m

    3 V+ @6 ^: c3 d  F為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),行業(yè)正在開發(fā)新的方法來管理可靠性。這些方法結(jié)合了自下而上的物理模型和自上而下的大數(shù)據(jù)分析。目標(biāo)是創(chuàng)建"數(shù)字孿生"——物理系統(tǒng)的虛擬表示,可以預(yù)測(cè)和管理產(chǎn)品整個(gè)生命周期的可靠性。% i  o% X% H% O3 J9 n& `$ F+ s) R0 a

    % S" \$ @8 w7 @. f! w# g
    # g* L3 t* T/ ^9 R* }+ r8 d# l圖5:展示了管理可靠性的"數(shù)字孿生"概念,顯示自下而上和自上而下方法的融合。
    & N) G; y6 s% U- s' V+ t! G* H
    2 I' ~. n+ l8 s+ j& WHIR概述了未來15年可靠性進(jìn)展的路線圖:
  • 1-5年:開發(fā)多物理融合方法用于可靠性保證,結(jié)合基于物理和機(jī)器學(xué)習(xí)的工具。
  • 5-10年:為下一代穩(wěn)健HI系統(tǒng)的協(xié)同設(shè)計(jì)和預(yù)測(cè)健康管理(PHM)創(chuàng)建融合方法,關(guān)注容錯(cuò)和彈性設(shè)計(jì)。
  • 10-15年:發(fā)展到具有集成自主生命周期管理能力的智能、自適應(yīng)和可重構(gòu)產(chǎn)品,包括自我認(rèn)知和自我修復(fù)系統(tǒng)。) a6 J+ q5 Z% K; D
    [/ol]. G. c2 u- v2 y; l3 k
    熱管理:關(guān)鍵挑戰(zhàn)$ b5 u# c7 \/ ]- B- v% H( c
    隨著系統(tǒng)集成度越來越高,熱管理變得越來越重要。HIR確定了熱技術(shù)進(jìn)步的幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域:
  • 熱界面材料:開發(fā)更高效的材料用于組件間的熱傳遞。
  • 高性能計(jì)算多芯片模塊的系統(tǒng)熱限制:推動(dòng)高性能計(jì)算應(yīng)用的冷卻邊界。
  • 嵌入式液體冷卻:探索芯片和芯片堆疊的先進(jìn)冷卻技術(shù)。
  • 先進(jìn)熱材料:研究具有優(yōu)異熱性能的新材料。
  • 熱機(jī)械建模:開發(fā)更好的工具來預(yù)測(cè)和管理異構(gòu)系統(tǒng)中的熱應(yīng)力。
    ; k* j% @- M4 p* r, R[/ol]
    ) f! {$ V/ _7 }& T+ F
    ! q) V6 {" J. ^% n. {- x : N; N1 v+ t$ v- {; f
    圖6:概述了異構(gòu)集成的先進(jìn)熱技術(shù)和研究領(lǐng)域。' g+ K& a8 e4 G

    ) i- z1 V' T! O協(xié)同設(shè)計(jì):整體方法
      @5 d; t: b: ^, Z( z- ^+ q為充分實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成的潛力,協(xié)同設(shè)計(jì)方法不可或缺。這種方法同時(shí)考慮系統(tǒng)設(shè)計(jì)的各個(gè)方面,包括:
  • 布局和布線
  • 架構(gòu)
  • 電磁和電氣考慮
  • 熱管理
  • 智能材料
  • 測(cè)試和可靠性
  • 機(jī)械考慮
    3 l  ~% A% s7 w[/ol]) [3 z  V/ s6 l, J& e

    0 h  z. u' H4 T6 q' _
    3 f- ~/ }/ J: T/ x( L/ Y: C/ K9 o$ W; ]  @8 J9 W1 q" c/ o. }: G

    / d7 |) x0 w/ z' T; n圖7:顯示多尺度和多物理芯片封裝相互作用(CPI)流程,說明異構(gòu)集成中協(xié)同設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。+ t( s3 t: ?. ^, H

    1 M6 g* O; @% ^2 X$ u6 l0 X協(xié)同設(shè)計(jì)方法需要大量基礎(chǔ)設(shè)施和研究支持。大學(xué)在通過研究和人才培養(yǎng)推動(dòng)該領(lǐng)域發(fā)展方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。此外,開源工具和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等共享資源對(duì)促進(jìn)合作和創(chuàng)新極為重要。( i" n' C+ R- ]5 t3 V
    " D  M; k5 m8 M0 l
    8 F+ z# v+ u* U/ m% m4 |
    結(jié)論
    % S, M! |8 p: S' x1 ^9 \" l# E異構(gòu)集成代表半導(dǎo)體技術(shù)的新前沿。通過結(jié)合多樣化的組件和技術(shù),可以提供高性能和功能。然而,這種方法也在設(shè)計(jì)、制造和可靠性方面帶來新的挑戰(zhàn)。
    0 N$ c" k0 E/ O7 [) @5 O' t8 n& f1 i0 q4 ~1 u+ f4 u9 W
    異構(gòu)集成路線圖為行業(yè)提供指導(dǎo),概述關(guān)鍵研究領(lǐng)域和技術(shù)里程碑。未來,整個(gè)生態(tài)系統(tǒng)的合作——從材料供應(yīng)商到系統(tǒng)集成商——將是成功的關(guān)鍵。
    # ?: z& J6 z4 m8 c  I8 d" ]; f0 @% M3 L% C( u
    3 [6 ]9 K% ~! c& C% L* K8 I* b
    參考文獻(xiàn)0 {+ {7 n8 v3 z9 Z. x# Y& k/ N
    [1] R. Rao, "Heterogeneous Integration Roadmap," presented at CMSE 2024, May 1, 2024.
    & a8 Q, K: q- Z5 ?, y; k
    0 e; F% j" k2 z' `8 I: S$ H( K* A- END -
    / k) I( G# R8 J9 f' v
    / x: ]5 n' A$ H( U) p軟件申請(qǐng)我們歡迎化合物/硅基光電子芯片的研究人員和工程師申請(qǐng)?bào)w驗(yàn)免費(fèi)版PIC Studio軟件。無論是研究還是商業(yè)應(yīng)用,PIC Studio都可提升您的工作效能。
    % @2 G! s* {6 [) m' V+ r) F點(diǎn)擊左下角"閱讀原文"馬上申請(qǐng)) J$ G. o3 E: G) c6 Q7 n

    5 p- j8 \+ M& I/ K- i2 ~歡迎轉(zhuǎn)載2 Y- l9 y$ E" H* {
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    轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處,請(qǐng)勿修改內(nèi)容和刪除作者信息!
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    9 F; `3 ~" d: [) r: J# h關(guān)于我們:
    + n. u, ~/ y) F" }5 b' r% p: Z深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。) S- n8 C$ Q0 x

    : P, `* x. X* `# k- K  khttp://www.latitudeda.com// @2 y9 k/ H4 i6 e
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