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總結(jié):
1.了解DDR的管腳定義;2.掌握DDR的布局方式:1)2片DDR相對(duì)于CPU呈對(duì)稱(chēng)式布局,并相距CPU 700mil左右的距離;2)數(shù)據(jù)線(xiàn)串接電阻放在DDR與控制器的中間,并聯(lián)電阻靠近串接電阻附近,可放于反面;3)DM信號(hào)要求串接電阻放在控制器端,并聯(lián)電阻放在DDR端;4)地址線(xiàn)、控制線(xiàn)、時(shí)鐘線(xiàn)是單向傳輸,一般是點(diǎn)到多點(diǎn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),要求串接電阻靠近控制器端,采用T點(diǎn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并聯(lián)電阻放在DDR端第一個(gè)T點(diǎn)處,長(zhǎng)度不超過(guò)500mil;5)差分時(shí)鐘信號(hào)串接電阻靠近控制器端,點(diǎn)到點(diǎn)的終端匹配電阻靠近DDR端,點(diǎn)到多點(diǎn)可以采用T型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),終端匹配電阻放在第一個(gè)T點(diǎn)處;6)Vref電源的退耦電容必須靠近DDR和CPU管腳;3.掌握DDR的布線(xiàn)方式:1)采用單端50om,差分100om阻抗的布線(xiàn)方式;2)采用數(shù)據(jù)分組的方式,分成各種組別,每一組需走在同一層面,數(shù)據(jù)線(xiàn)組內(nèi)控制在50mil以?xún)?nèi)等長(zhǎng),時(shí)鐘、地址、控制線(xiàn)組內(nèi)控制在200mil以?xún)?nèi)的誤差,時(shí)鐘差分對(duì)內(nèi)誤差控制在5mil以?xún)?nèi);3)線(xiàn)與線(xiàn)之間盡量保持3W以上的原則,數(shù)據(jù)線(xiàn),控制線(xiàn),時(shí)鐘線(xiàn)之間要保持20mil以上的距離;4)所有的信號(hào)線(xiàn)都不得跨分割,且有完整的參考平面。
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2片DDR3的存儲(chǔ)器模塊.rar
2024-9-12 23:40 上傳
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