在《pcb設(shè)計(jì)丨電源設(shè)計(jì)的重要性》一文中，已經(jīng)介紹了電源設(shè)計(jì)的總體要求，以及不同電路的相關(guān)布局布線等知識(shí)點(diǎn)，那么本篇內(nèi)容，小編將以RK3588為例，為大家詳細(xì)介紹其他支線電源的PCB設(shè)計(jì)。 , p: |7 |2 A' S" z' B) F
電源PCB設(shè)計(jì) 3 {7 B0 Z. G# I# _; k; @
01 如下圖（上）所示的濾波電容，原理圖上靠近RK3588的VDD_CPU_BIG電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容，務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。 其余的去耦電容盡量擺放在芯片附近，而且需要擺放在電源分割來源的路徑上。 ![]() 3 @5 X' M+ l" `0 f3 U* y9 ]/ Y3 W
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$ U( W$ [: S; v02 RK3588芯片VDD_CPU_BIG0/1的電源管腳，保證每個(gè)管腳邊上都有一個(gè)對(duì)應(yīng)的過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接。 如下圖是電源管腳扇出走線情況，建議走線線寬10mil。 ![]() ; }- L4 A) ^/ H5 F+ N% x% Y
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03 VDD_CPU_BIG0/1覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳覆銅足夠?qū)挕?/font> 路徑不能被過孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳路徑都足夠。 04 VDD_CPU_BIG的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過孔（12個(gè)及以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。 去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。 05 VDD_CPU_BIG電流比較大需要雙層覆銅，VDD_CPU_BIG 電源在CPU區(qū)域線寬合計(jì)不得小于 300mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil。 盡量采用覆銅方式降低走線帶來壓降（其它信號(hào)換層過孔請(qǐng)不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅），如下圖所示。 ![]()
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2 O6 g- v Y0 Z9 j06 電源平面會(huì)被過孔反焊盤破壞，PCB設(shè)計(jì)時(shí)注意調(diào)整其他信號(hào)過孔的位置，使得電源的有效寬度滿足要求。 下圖L1為電源銅皮寬度58mil，由于過孔的反焊盤會(huì)破壞銅皮，導(dǎo)致實(shí)際有效過流寬度僅為L(zhǎng)2+L3+L4=14.5mil。 ![]() - N) O3 m- h0 B/ l, I) C
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07 BIG0/1電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧12個(gè)，如下圖所示。 ![]() 1 S. V1 r- ]" P% u( S' R
1 d3 h' g) {, L% @8 Q$ m: }08 BIG電源PDN目標(biāo)阻抗建議值，如下表和下圖所示。 ![]()
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+ ` s" K, k1 o* L6 M電源PCB設(shè)計(jì) VDD_LOGIC 01 VDD_LOGIC的覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/font> 路徑不能被過孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳路徑都足夠。 02 如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_LOGIC電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容，務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND管腳盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。 其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并擺放在電源分割來源的路徑上。 ![]() 0 t1 `; L% `4 m P) w, c" T
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5 E5 c4 c. v; m# T! f) M2 f: ^# D" f03 RK3588芯片VDD_LOGIC的電源管腳，每個(gè)管腳需要對(duì)應(yīng)一個(gè)過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖所示，建議走線線寬10mil。 ![]()
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04 BIG0/1電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間VDD_LOGIC電源在CPU區(qū)域線寬不得小于120mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil。 盡量采用覆銅方式，降低走線帶來壓降（其它信號(hào)換層過孔請(qǐng)不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅），GND過孔數(shù)量建議≧12個(gè)。 ![]()
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05 VDD_LOGIC的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過孔（8個(gè)以上10-20mil的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。 去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用，如下圖所示。 ![]() * l7 m6 } C, D2 j5 t
: L3 d7 k0 c$ G9 `/ Q4 h: \06 電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧11個(gè)，如下圖所示。 ![]()
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電源PCB設(shè)計(jì) VDD_GPU 01 VDD_GPU的覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/font> 路徑不能被過孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。 02 VDD_GPU 的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過孔（10個(gè)以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。 去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。 03 如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_GPU電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。 其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。 ![]() 7 p9 A$ Q2 a* I- ^# y2 M2 Z+ D1 I
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04 RK3588芯片VDD_GPU的電源管腳，每個(gè)管腳需要對(duì)應(yīng)一個(gè)過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖所示，建議走線線寬10mil。 ![]() 7 C* u; B) Y; K" t. d% i: h5 f8 p, g! z4 H
/ c8 Q6 y7 c! l, ]% o h3 H5 T05 VDD_GPU電源在GPU區(qū)域線寬不得小于300mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil，采用兩層覆銅方式，降低走線帶來壓降。 ![]() ) t. s2 n1 ]4 C! R# _/ p5 K9 x
9 I, Q0 z5 ~6 ^06 電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧14個(gè)，如下圖所示。 ![]()
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R8 t: e6 L" i, z設(shè)計(jì)完P(guān)CB后，一定要做分析檢查，才能讓生產(chǎn)更順利，這里推薦一款可以一鍵智能檢測(cè)PCB布線布局最優(yōu)方案的工具：華秋DFM軟件，只需上傳PCB/Gerber文件后，點(diǎn)擊一鍵DFM分析，即可根據(jù)生產(chǎn)的工藝參數(shù)對(duì)設(shè)計(jì)的PCB板進(jìn)行可制造性分析。 華秋DFM軟件是國(guó)內(nèi)首款免費(fèi)PCB可制造性和裝配分析軟件，擁有300萬+元件庫，可輕松高效完成裝配分析。其PCB裸板的分析功能，開發(fā)了19大項(xiàng)，52細(xì)項(xiàng)檢查規(guī)則，PCBA組裝的分析功能，開發(fā)了10大項(xiàng)，234細(xì)項(xiàng)檢查規(guī)則。 基本可涵蓋所有可能發(fā)生的制造性問題，能幫助設(shè)計(jì)工程師在生產(chǎn)前檢查出可制造性問題，且能夠滿足工程師需要的多種場(chǎng)景，將產(chǎn)品研制的迭代次數(shù)降到最低，減少成本。 ![]()
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電源PCB設(shè)計(jì) VDD_NPU 01 VDD_NPU的覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/font> 路徑不能被過孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。 02 VDD_NPU的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過孔（7個(gè)以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。 去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。 03 如下圖（上）所示，原理圖上靠RK3588的VDD_NPU電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。 其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。 ![]() . D9 w ^/ T, M9 D6 R' Q6 I
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# y, A& L( K& G1 b04 RK3588芯片VDD_NPU的電源管腳，每個(gè)管腳就近有一個(gè)對(duì)應(yīng)過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖所示 ，建議走線線寬10mil。 ![]() 9 `7 L& G( U8 y9 r! \' q/ ?3 D+ _& ^
. s# @0 N- z2 Y) h; @05 VDD_NPU電源在NPU區(qū)域線寬不得小于300mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil。 盡量采用覆銅方式，降低走線帶來的壓降（其它信號(hào)換層過孔請(qǐng)不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。 ![]() ! J; o/ G6 [/ r2 h1 O6 I
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06 電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧9個(gè)。 ![]() 0 ]: G; n. i- t" @% x [2 p5 z6 M# U
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電源PCB設(shè)計(jì) VDD_CPU_LIT 01 VDD_CPU_LIT覆銅寬度需滿足芯片電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/font> 路徑不能被過孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。 02 VDD_CPU_LIT的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過孔（9個(gè)以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。 去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。 03 如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_CPU_LIT電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。 其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。 ![]() 0 N5 M& j" @) U9 o4 ~
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* l5 N1 P) L" [) W- d& ^04 RK3588芯片VDD_CPU_LIT的電源管腳，每個(gè)管腳就近有一個(gè)對(duì)應(yīng)過孔，并且頂層走“井”字形，交叉連接，如下圖建議走線線寬10mil。 ![]() 8 R) v( V% a; ^* n" n
' [) f2 u) G" e05 VDD_CPU_LIT電源在CPU區(qū)域線寬不得小于120mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil。 采用雙層電源覆銅方式，降低走線帶來壓降（其它信號(hào)換層過孔請(qǐng)不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。 ![]() ; N! m# R/ E! w
7 `9 E3 A! {& B1 @0 E6 m. `06 電源過孔40mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧9個(gè)。 ![]() 8 r2 L$ a2 c, g3 B7 f
X5 [! |, W! k+ T5 Z& ~電源PCB設(shè)計(jì) VDD_VDENC 01 VDD_VDENC覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/font> 路徑不能被過孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。 02 VDD_VDENC電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過孔（9個(gè)以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。 去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。 03 如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VDD_VDENC電源管腳綠線以內(nèi)的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，如下圖（下）所示。 其余的去耦電容盡量擺放在RK3588芯片附近，并需要擺放在電源分割來源的路徑上。 ![]() ) G& O' Y: W4 \& N* l6 C* j \
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6 A5 F2 w% u: ^! d; Q+ N2 M, }05 VDD_VDENC電源在CPU區(qū)域線寬不得小于100mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil，采用雙層電源覆銅方式，降低走線帶來壓降。 ![]() ( B9 w- E$ j, J7 M
: u# }. z$ ?1 H: h06 電源過孔30mil范圍（過孔中心到過孔中心間距）內(nèi)的GND過孔數(shù)量，建議≧8個(gè)。 ![]()
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電源PCB設(shè)計(jì) VCC_DDR 01 VCC_DDR覆銅寬度需滿足芯片的電流需求，連接到芯片電源管腳的覆銅足夠?qū)挕?/font> 路徑不能被過孔分割太嚴(yán)重，必須計(jì)算有效線寬，確認(rèn)連接到CPU每個(gè)電源PIN腳的路徑都足夠。 02 VCC_DDR的電源在外圍換層時(shí)，要盡可能的多打電源過孔（9個(gè)以上0.5*0.3mm的過孔），降低換層過孔帶來的壓降。 去耦電容的GND過孔要跟它的電源過孔數(shù)量保持一致，否則會(huì)大大降低電容作用。 03 如下圖（上）所示，原理圖上靠近RK3588的VCC_DDR電源管腳的去耦電容務(wù)必放在對(duì)應(yīng)的電源管腳背面，電容的GND PAD盡量靠近芯片中心的GND管腳放置，其余的去耦電容盡量靠近RK3588，如下圖（下）所示。 ![]()
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# Y' M/ Q* @+ K" v, a, x& ]4 C當(dāng)LPDDR4x 時(shí)，鏈接方式如下圖所示。 ![]() ; N2 b- {( `* Y* D# } {
" b" x3 d% N) ?% O5 }$ [( @05 VCC_DDR電源在CPU區(qū)域線寬不得小于120mil，外圍區(qū)域?qū)挾炔恍∮?00mil。 盡量采用覆銅方式，降低走線帶來壓降（其它信號(hào)換層過孔請(qǐng)不要隨意放置，必須規(guī)則放置，盡量騰出空間走電源，也有利于地層的覆銅）。 ![]()
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! Y3 a4 M% l6 W設(shè)計(jì)完P(guān)CB后，一定要做分析檢查，才能讓生產(chǎn)更順利，這里推薦一款可以一鍵智能檢測(cè)PCB布線布局最優(yōu)方案的工具：華秋DFM軟件，只需上傳PCB/Gerber文件后，點(diǎn)擊一鍵DFM分析，即可根據(jù)生產(chǎn)的工藝參數(shù)對(duì)設(shè)計(jì)的PCB板進(jìn)行可制造性分析。 華秋DFM軟件是國(guó)內(nèi)首款免費(fèi)PCB可制造性和裝配分析軟件，擁有300萬+元件庫，可輕松高效完成裝配分析。其PCB裸板的分析功能，開發(fā)了19大項(xiàng)，52細(xì)項(xiàng)檢查規(guī)則，PCBA組裝的分析功能，開發(fā)了10大項(xiàng)，234細(xì)項(xiàng)檢查規(guī)則。 基本可涵蓋所有可能發(fā)生的制造性問題，能幫助設(shè)計(jì)工程師在生產(chǎn)前檢查出可制造性問題，且能夠滿足工程師需要的多種場(chǎng)景，將產(chǎn)品研制的迭代次數(shù)降到最低，減少成本。 ; m8 [! H( m/ R9 N/ ]) J( N/ _
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