兩片DDR3的PCB設(shè)計(jì)作業(yè)---馮凱

FKAI

DDR模塊布局時(shí)采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)布局模式，盡量靠近BGA擺放。兩片DDR布局時(shí)按照T點(diǎn)結(jié)構(gòu)布局，走線從中間向兩端發(fā)散，保證到DDR的線長(zhǎng)度一致。當(dāng)兩個(gè)器件中間無(wú)排阻是，擺放間距在600-800mil，有排阻時(shí)間距在800-1000mil，濾波電容靠近IC管腳擺放，走線阻抗控制在50om，數(shù)據(jù)線每11根盡量走在同一層D0-D7,LDQM和一對(duì)差分線等。信號(hào)線之間滿(mǎn)足3W規(guī)則，數(shù)據(jù)線和時(shí)鐘線、地址線之間滿(mǎn)足20mil以上，空間足夠情況下，用地線隔離開(kāi)，加過(guò)地孔。高低8位數(shù)據(jù)線保持等長(zhǎng)，誤差在50mil，控制線，時(shí)鐘線和地址線誤差在100mil，差分線繞等長(zhǎng)時(shí)先使差分對(duì)內(nèi)誤差保證在5mil內(nèi)，在進(jìn)行數(shù)據(jù)線等長(zhǎng)操作。如果原理圖有特殊標(biāo)注，走線應(yīng)滿(mǎn)足要求。走線后在走線中間空余處打上過(guò)地孔減少干擾。