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引言
% N: q7 }( r2 D* \2 }: ^半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,推動(dòng)技術(shù)邊界,以滿足對(duì)更快、更高效、更強(qiáng)大電子設(shè)備的持續(xù)增長需求。這一領(lǐng)域的關(guān)鍵創(chuàng)新之一是先進(jìn)半導(dǎo)體封裝。本文簡介2.5D和3D封裝技術(shù)的發(fā)展、優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn),以及在各種應(yīng)用中的影響[1]。
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半導(dǎo)體封裝的演變3 Y, s# M9 V' |) ?6 }* J
半導(dǎo)體封裝技術(shù)已從最初的1D PCB水平發(fā)展到今天的晶圓級(jí)3D混合鍵合封裝。這一進(jìn)步實(shí)現(xiàn)了單位數(shù)微米的互連間距,能夠以高能效達(dá)到超過1000 GB/s的帶寬。# ?8 d! d- m) ^2 M
4 s0 j0 s) K* C四個(gè)關(guān)鍵參數(shù)塑造了先進(jìn)半導(dǎo)體封裝的發(fā)展:功率:通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提高功率效率。性能:通過縮短互連間距增加輸入/輸出(I/O)點(diǎn)數(shù),提高帶寬并減少通信長度。面積:高性能計(jì)算芯片需要更大的封裝面積,而3D集成則需要更小的z軸尺寸。成本:通過使用替代的更經(jīng)濟(jì)材料或提高制造設(shè)備效率,持續(xù)降低封裝成本。
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2.5D封裝技術(shù); ^$ Z c& ?5 q4 ?8 Q+ i
2.5D封裝技術(shù)涉及使用中間層連接多個(gè)芯片。根據(jù)中間層材料的選擇,2.5D封裝分為三種主要類型:
9 i# }+ `* K. U2 o' Y0 k; d1. 硅基中間層:8 N% }9 w' t! ?4 n$ \
兩種選擇:硅中間層(全被動(dòng)硅晶圓)和硅橋(扇出式模塑化合物中的局部硅橋或帶腔基板)。優(yōu)勢(shì):最精細(xì)的布線特征,適用于高性能計(jì)算集成。挑戰(zhàn):材料和制造成本較高,封裝面積限制。未來趨勢(shì):增加使用局部硅橋以解決面積限制和成本問題。! G5 J2 ?( o' e6 a
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" ~7 Z- y' o5 n4 S( Y2. 有機(jī)基中間層:7 J* c6 R" h; O$ L. B" k
使用扇出式模塑化合物而非有機(jī)基板。優(yōu)勢(shì):介電常數(shù)低于硅(較低的RC延遲),更具成本效益。挑戰(zhàn):難以達(dá)到與硅基封裝相同水平的互連特征縮減。
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0 _, V+ `) C5 L, }$ B. ~) P7 q5 Z# J3. 玻璃基中間層:/ G2 w- R5 b/ `. K2 V) T+ ]
優(yōu)勢(shì):可調(diào)熱膨脹系數(shù)(CTE),高尺寸穩(wěn)定性,光滑平整的表面。布線特征有潛力與硅媲美。挑戰(zhàn):生態(tài)系統(tǒng)不成熟,目前缺乏大規(guī)模量產(chǎn)能力。
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3D封裝技術(shù)
7 [0 X' @7 N. r0 b$ }3D封裝技術(shù)專注于芯片的垂直堆疊,主要有兩種方法:
, r3 M: k& `" `# K) J# d1. 微凸點(diǎn)技術(shù):; C9 J6 y( V2 E: G7 v* F
基于熱壓焊接(TCB)工藝。技術(shù)成熟,應(yīng)用于多種產(chǎn)品。持續(xù)努力縮小凸點(diǎn)間距。挑戰(zhàn):較小焊球中金屬間化合物(IMCs)形成增加,潛在的焊球橋接問題,與銅相比電阻率較高。
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2. 混合鍵合:
! e: u: n# u" Q3 Z$ B/ l; k5 h通過結(jié)合介電材料(SiO2)和嵌入金屬(Cu)創(chuàng)建永久互連。實(shí)現(xiàn)低于10微米(通常為個(gè)位數(shù)μm)的間距。優(yōu)勢(shì):擴(kuò)展I/O,增加帶寬,增強(qiáng)3D垂直堆疊,提高功率效率,減少寄生效應(yīng)和熱阻。挑戰(zhàn):制造復(fù)雜性和較高成本。1 \( }6 o" x' J; n( q. `' f3 R
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1 u) a$ u- k. J) j2 ]! ~$ V應(yīng)用和市場(chǎng)影響
- v% C1 N' Y" q& I先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)在多個(gè)關(guān)鍵市場(chǎng)中找到應(yīng)用:( {6 b" Q# k- _+ d
1. 人工智能和數(shù)據(jù)中心:
" ~; u# h- Q. z推動(dòng)對(duì)高性能計(jì)算解決方案的需求。需要能夠處理增加的功率和性能需求的封裝技術(shù)。+ j/ y& i( U. z% F3 q
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2. 5G網(wǎng)絡(luò):7 `- c8 P# Y/ ^# Y0 G& J8 g
先進(jìn)封裝對(duì)5G無線電和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要。實(shí)現(xiàn)更高頻率和增加帶寬。5 r6 T( U) }* \8 M; E2 h5 L P
# A* V E4 n- Q( w3. 自動(dòng)駕駛汽車:. X+ x4 U; J S2 i, g
需要先進(jìn)封裝用于傳感器、處理器和通信系統(tǒng)。強(qiáng)調(diào)在惡劣環(huán)境中的可靠性和性能。
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H4 E" g+ ] M' x$ F- x$ O' }5 f4. 消費(fèi)電子:- s+ @0 E- g$ `2 D) I( N! x
智能手機(jī)、平板電腦、智能手表和AR/VR設(shè)備受益于更小的尺寸和更高的性能。先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)在緊湊設(shè)計(jì)中集成多種功能。! ]% I" |7 O, q7 [( _1 z+ O
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未來展望
0 w! ^0 y9 h2 o. A先進(jìn)半導(dǎo)體封裝行業(yè)將迎來顯著增長和創(chuàng)新。需要關(guān)注的主要趨勢(shì)包括:
2 f+ Q2 m3 a1 @5 j( n互連間距持續(xù)縮小,特別是混合鍵合技術(shù)。開發(fā)新材料和工藝以解決熱管理和功率效率挑戰(zhàn)。增加采用基于chiplet的設(shè)計(jì)和異構(gòu)集成。玻璃基中間層技術(shù)的成熟和潛在的廣泛采用。制造工藝的進(jìn)步,以降低成本和提高良率。* x; U/ s3 s9 H$ w* v
; w* M' {9 W2 D# H8 _% ?( G隨著對(duì)更強(qiáng)大、更高效電子設(shè)備需求的持續(xù)增長,先進(jìn)半導(dǎo)體封裝將在實(shí)現(xiàn)下一代技術(shù)方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。從人工智能和5G到自動(dòng)駕駛汽車及更多領(lǐng)域,這些封裝創(chuàng)新將成為日益互聯(lián)和智能世界的核心。6 U9 d h6 i: V$ C
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參考文獻(xiàn)( M/ k* F4 s9 L7 ~
[1] IDTechEx, "Advanced Semiconductor Packaging 2024-2034: Forecasts, Technologies, Applications," IDTechEx, Jan. 11, 2024. [Online]. Available: https://www.azonano.com/news.aspx?newsID=40634.
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, w/ u3 [0 e( X2 g v& ~ q$ T深圳逍遙科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家專注于半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)的高科技軟件公司。我們自主開發(fā)特色工藝芯片設(shè)計(jì)和仿真軟件,提供成熟的設(shè)計(jì)解決方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分別針對(duì)光電芯片、微機(jī)電系統(tǒng)、超透鏡的設(shè)計(jì)與仿真。我們提供特色工藝的半導(dǎo)體芯片集成電路版圖、IP和PDK工程服務(wù),廣泛服務(wù)于光通訊、光計(jì)算、光量子通信和微納光子器件領(lǐng)域的頭部客戶。逍遙科技與國內(nèi)外晶圓代工廠及硅光/MEMS中試線合作,推動(dòng)特色工藝半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,致力于為客戶提供前沿技術(shù)與服務(wù)。
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